| 型号： | NSS12100XV6T1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| NSS12100XV6T1G PDF |  |
| 产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 产品目录绘图 | Transistor SOT-563 Pkg |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 440mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NSS12100XV6T1GOSDKR |